四月十六日，通城，徐申学在智云微电子有限公司的总部里，举办了一场半导体会议。
会议主要针对现有七纳米以及五纳米工艺的产能扩充，未来三纳米工艺、二纳米工艺的技术攻关进行了讨论。
逻辑芯片是徐申学非常关注的一个领域，但是也不仅仅只是关注这个领域。
在储存芯片领域里徐申学也非常关注……因为储存芯片市场目前看似平静，但是新一轮的大规模价格战正在酝酿当中。
上一轮储存芯片市场的价格战，是两年前，当时的智云储存试图靠着先大规模量产的10C工艺玩价格战，四星半导体紧跟身后，试图联手打压海力士以及镁光。
但是出手过于仓促，资金准备也不是很妥当，最重要的是当时的10C工艺节点产能不够，10B工艺的竞争力也比较一般，最终导致效果不是很好。
搞了一四败俱伤的价格战，除了损失各自的利润外，没起到什么实际作用。
而现在，智云储存这边，打算再来一次！
这一次，他们将会准备的更加充分！
而这一次的半导体会议里，在储存芯片领域的讨论，其实也是为了下一轮的储存芯片市场的技术战以及价格战而准备。
闪存领域，根据会议讨论，将会重点围绕一百层到一百五十层之间的成熟3D NAND闪存芯片进行大规模的产能扩充，同时建设扩充两百层以上的3D NAND闪存芯片的大规模量产。
虽然两百层以上的闪存芯片已经有了，但是受限于成本以及产能问题，目前其实并不是主流。
主流储存芯片的层数，中高端产品是在一百层到一百五十层节点，而这个中高端市场，也是四大储存芯片巨头的核心营收以及利润来源……是支撑其研发新一代技术，建设下一代新工艺产能的战略支撑。
只要能够在这个市场区间里挤死对手，就等于断了对手的粮草，对方将会在新工艺的研发，新工艺的产能建设上落后……以后就只能玩落后市场了。
半导体制造业非常残酷的，一步落后就是步步落后。
而领先者，就能够在新一代工艺上获得丰厚的营收以及利润，进而形成良性循环！
智云集团，在逻辑芯片领域里的领先优势，就是这么一步一步积累起来的！
现在，在储存芯片领域里也这么玩！
储存芯片除了3D NAND这种闪存芯片外，还有一个核心产品那就是运行内存芯片。
半导体会议上，确认了进一步大规模扩充相对成熟的10C工艺内存芯片的产能，要求在两年内把这个核心工艺的产能再翻一番。
要打价格战，充足的产能是前提……要不然产能就一点点，供不应求的话，还打什么价格战啊！
扩大成熟工艺产能的同时，并进一步推进到10D工艺，即第四代十纳米工艺，其实际工艺节点规划为12纳米的量产计划，要求在今年秋天完成技术验证，明年就大规模出货！
10C成熟工艺担任主力，直接玩大规模降价，冲击对手的基本盘，让对手的现金流迅速枯竭，失去维持下一代工艺研发以及制造现金流！
新工艺的研发和制造，很耗费资金的！
同时使用顶级技术……对手一时半会追不上的10D先进工艺占领高端市场，以维持整体利润。
这是一套组合拳，是价格战和技术战的双重结合！
智云半导体部门很喜欢这么打击对手……大多时候效果都挺好的。
其中的10D工艺，就承担着非常重要的责任：要趁机抢占高端市场，并且在10C工艺的利润迅速降低的时候，以自身利润给整个智云储存业务回血！
不然到时候10C工艺大规模降价销售，利润暴跌的时候，又没办法用10D工艺回血，这样的话就尴尬了。
10C以及10D工艺，这是智云集团在内存芯片领域的工艺代称，10C工艺的实际工艺节点为14纳米。
这也是目前全球范围内大规模量产工艺里最顶级的工艺，该工艺出现的还比较早，一度领先了四星半导体……不过四星半导体没多久就追上来了，没能形成太久的技术优势。
目前的10C工艺，是智云集团旗下各种高端内存芯片的主要量产工艺，这两年智云集团的很多终端产品里，都能找到采用该种工艺的高端内存。
目前智云集团旗下的智云储存的HBM3高带宽内存，也就是APO6000显卡上使用的内存，就是采用这一工艺制造。
智云集团旗下的S系列手机，如去年发布的S20Max Pro旗舰级，上面采用的LPDDR5内存芯片，也是采用这一工艺……智云储存旗下的LPDDR5高性能高速内存，也是目前最顶级的低功耗内存，性能甚至超过了四星的LPDDR5内存产品。
其原因就是来源于代工生产LPDDR5内存的智云微电子，其10C工艺的所提供的卓越性能。
现在的10C工艺，依旧是目前量产工艺里的顶级工艺，当然，已经无法大幅度领先对手了。
因为四星半导体，镁光，海力士都已经陆续追上来并拥有了该级别工艺……他们的同级别工艺有好有坏，但是整体处于同一级别，区别不是很大。
现在，智云微电子在内存工艺领域里，已经是全力朝着更先进的10D工艺冲击，其工艺节点为12纳米。
智云微电子的内存芯片的工艺划分，早期是采用30纳米，25纳米，20纳米！
后来进入十纳米工艺时代后，第一代采用10A工艺，实际工艺节点为18纳米。
第二代10B工艺，实际工艺节点为16纳米。
第三代10C工艺，实际工艺节点为14纳米……这一代工艺开始，智云微电子开始采用EUV光刻机制造内存芯片的部分核心工序。
而第四代的10D工艺，实际工艺节点为12纳米……
这个10D工艺的技术水平是非常高的，属于目前世界上技术最先进的内存芯片工艺，没有之一，哪怕是四星半导体想要追上来都困难的很。
而且这种工艺对先进设备的要求也非常高，10D的很多工序里，已经需要大规模使用最先进的HEUV-300C光刻机了。
之前的10C工艺节点里，可用不着这种顶级家伙，用的还是HEUV-300B光刻机，并且也只是在少量的核心工序里使用。
而10D工艺，则是需要更先进的HEUV-300C光刻机，并且应用工序更多……这意味着性能更优秀，但是制造成本也更高。
主要是HEUV-300C光刻机贵……这种光刻机是目前海湾科技旗下，也是全球范围内性能最顶级的量产型号光刻机，其1.5纳米的套刻精度能够轻松用于制造等效五纳米/七纳米工艺的芯片……这款光刻机，乃是智云微电子里现在以及未来用于大规模制造EUV单次曝光工艺的主力光刻机。
至于更老旧的HEUV-300B，虽然光刻性能达标，但是生产效率不太行，每小时产能只有一百二十片，现在都已经停产了……有了更先进的HEUV-300C，海湾科技都不愿意继续生产HEUV-300B了。
这也和海湾科技自己的策略有关，因为EUV的镜片组产能有限，一年在只能生产这么点EUV光刻机的情况下，他们更倾向于客户采购最先进，价格更高，利润更高的产品。
而不是用宝贵的EUV镜片组产能，去生产成熟便宜，利润也比较低的产品。
所以，海湾科技把HEUV-300B光刻机的价格标的比较高，简单直白的告诉客户：别买这玩意了，来买HEUV-300C啊！
最后客户一算，HEUV-300C虽然贵很多，但是综合使用成本性价比还要更好，所以也不抗拒。
别说智云微电子了，现在中芯采购EUV光刻机，都是采购HEUV-300C型了，只是他们没啥钱，买的很少。
现在的HEUV-300C光刻机还是相当不错的，都能够用来勉强生产等效三纳米工艺的芯片了……智云微电子的第一代三纳米工艺，就是用这款光刻机做的。
当然，只是初步满足等效三纳米工艺的需求，良率以及成本上还是有所不足。
如果要更好，更快，更低成本的制造等效三纳米乃至二钠米等一系列EUV双重曝光工艺的芯片，那么就需要更新型，目前海湾科技那边刚完成原型机研制，还没有开始供货的HEUV-300D！
这是一款套刻精度达到了惊人的1纳米的顶级EUV光刻机，专门为了EUV双重曝光工艺而研发。
不出意外的话，这也将会是HEUV-300系列光刻机的终极产物……因为到这个阶段，光源波长已经没办法缩减了，单次曝光的金属间距被限制在了26纳米左右，用在单次曝光制造五纳米工艺就是极限了。
要制造三纳米工艺的话，就需要进行双重曝光，这也是300D光刻机的主要技术进步特征，进一步缩小了套刻精度，使得双重曝光的良率更高，成本更低。
然后到了二纳米工艺呢？一点五纳米工艺？一纳米工艺呢？
现在的EUV光刻机可就不太好用了。
怎么办？换个方向进一步缩小光刻机的极限金属间隔！
光刻机里，影响光刻精度的参数有好几个，其他几种在DUV光刻机时代基本已经到极限了，EUV光刻机则是使用缩小波长的方式来获得技术进步。
而现在EUV的光源波长技术路线也差不多玩到头后，剩下最后一个可以提升空间的就只有‘NA数值孔径’这么一个参数了。
如HEUV-300系列光刻机里，数值孔径都是统一的0.33！
现在海湾科技那边的下一代光刻机，就是打算在数值孔径上做文章，提升数值孔径，比如放大到0.55甚至更大，进而获得更小的金属间隔。
实现单次曝光就制造十六纳米以下甚至更小的金属线宽！
该计划也就是海湾科技里的HEUV-800光刻机，一种大数值孔径EUV光刻机。
海湾科技的光刻机，其产品编号都是统一有规律的。
i线光刻机，编号为HI-100系列……
KRF光刻机，编号为HKRF-200系列
DUV干式光刻机，编号为HDUV-400系列。
DUV浸润式光刻机，支持双重曝光的则是为HDUV-500系列，而支持四重曝光的则是HDUV-600系列。
EUV光刻机，因为当年徐申学一心奔着EUV光刻机去，立项非常早，因此比DUV光刻机还要更早一些，所以老早就拿到了HEUV-300的系列编号。
然后前几年立项发展的纳米光刻机，则是用掉了HNIL-700的编号
而新一代的大数值孔径EUV光刻机，则是采用了新的HEUV-800系列编号。
这种新一代的HEUV-800光刻机，估计也就这两年内搞出来原型机，至于什么时候能实际应用，还要看后续研发情况……但是短时间内够呛，因为这东西太贵，还需要继续技术攻关，把成本拉下来，尤其是制造成本给拉下来，要不然半导体制造工厂使用成本过于高昂，难以为继。
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内存芯片的制造，其实和逻辑芯片也是有点类似的，也严重依赖先进光刻机的性能。
有了HEUV-300C光刻机，才有了10D工艺的诞生，目前智云微电子旗下的工程师们，正在加班加点解决10D工艺的大规模量产问题，不出意外的话，今年秋天左右，第一块采用10D工艺的内存芯片就会面世，明年春天左右，就能够大规模出货！
到时候，智云集团旗下的智云储存，将会在全球范围内，再一次掀起高端内存领域的战争……
不仅仅是在内存领域，在闪存领域也同样如此，智云储存这边正在大力推动一百层级别以及一百五十层这两个工艺节点的3DNAND的成本下降……随着成本的持续下降，那么售价也会持续降低……这意味着价格战！
这一时间表，也是安排在明年春天左右！
智云储存正在憋大招呢……试图同时在闪存以及内存领域里掀起一场波及全球储存芯片市场的战争！
智云储存去年开始，就已经开始储备现金流，就等着10D工艺搞定后，在内存芯片领域里玩价格战和技术战。
同时在闪存芯片领域里也同样玩价格战和技术战。
双管齐下，直接来一场规模浩大的储存芯片战争！
这一次，怎么着也要重创一家内存厂商……直接干死可能性不大，但是想要重创其中一家，把其中一家挤下第一梯队还是有可能的。
现在的储存芯片高端市场里，有智云储存、海力士，镁光，四星半导体……四家太多了，高端储存芯片市场的肉不够分！
边上的四星半导体也察觉到了智云储存的异动，不过他们也是在摩拳擦掌，就等着智云储存先发起战争……四星半导体的储存技术一向来都很不错，虽然现在小幅度落后智云储存，但是落后的并不多，而且有四星集团这个母公司在上头顶着，资金量也很充足的。
再不济，他们也能够依靠四星电子的各类产品出货维持中高端市场的持续出货。
四星半导体的特性，和智云储存/智云半导体有点类似，都是背靠一家巨大的智能终端企业……想要直接干死，很难的。
一旦智云储存先在储存芯片领域里发动战争，他们四星半导体也会迅速跟上……跟着一起降价！
然后和智云储存一起抢占海力士和镁光的市场份额。
在储存芯片领域里，四星半导体和智云储存一向来都很有默契的……经常约着一起打价格战、技术战，然后分割其他内存厂商的市场。
多年前全球的各种储存芯片厂商多了去，数得上名号的都有七八家，现在就只剩下四家还在第一梯队里，其他的要么被收购，要么变成二三流做中低端市场去了。
这都是智云储存和四星半导体的多年来，历次清洗市场的功劳！
现在，他们打算再来一次！
而到时候，全球的半导体从业者，将会体验到什么叫做新一轮的储存芯片周期……
当然，对于消费者以及企业客户而言，这是大好事……四大储存芯片巨头一起玩价格战，这意味着大量智能终端厂商等企业采购储存芯片的成本会下降不少。
而普通消费者们购买内存条，硬盘也会发现价格便宜了不少。
而且不出意外，成熟工艺的储存芯片价格持续走低，将会持续好几年！
总之，这一次智云储存不干死其中一家决不罢休……而四星半导体也是信心满满能够抗住这一波的同时，抢食海力士和镁光的市场。
有这两家老大和老二一起玩价格战，后面的老三和老四的镁光以及海力士也得跟着被迫应战！
但是海力士和镁光，他们在技术以及产能、现金储备上都全面落后，能不能扛得住也是很难说的。
其实今年开始，这两家公司其实也察觉到这两家对手的不怀好意的动作……近期的闪存芯片价格在持续走低，虽然是小幅度，但是阴跌不止啊！
对此，他们的策略其实也很简单：咬牙死撑……
不是撑到智云储存或四星半导体顶不住，而是撑到海力士和镁光之间死一个。
他们两家想要活下去，指望智云储存和四星半导体撑不住，那不现实，这两家体量太大，背后的母公司实力太强……但是指望海力士和镁光之间死一个，那希望就很大了。
镁光和海力士，他们彼此才是最大的竞争对手！
老三想要活下去，也不一定非要打死老大和老二的，跑的比老四快就行了。
地球上四家一流的储存芯片巨头，开始摩拳擦掌，各怀心思的准备新一轮的价格战……不过外界对此还没什么反应，顶多就是察觉到闪存芯片的价格小幅度持续走低！
而这，只是四大巨头之间价格战的前奏而已，真正的大规模价格战还没来呢。
这一次的徐申学召开的半导体会议，会议主题里有一大半都是围绕着即将到来的这一场储存芯片市场的价格战而展开的。
当然，技术推进，产能扩充本来就是必须进行的，就算不打价格战也会这么搞。
打价格战也只是顺带的。
对于徐申学旗下各企业而言，挤兑死竞争对手很重要，但是维持自身的技术进步更重要！
他手底下的一堆企业的核心产品，都等着更先进的10D工艺内存，两百层以上的3D NAND闪存用呢！
一场半导体会议过后，徐申学返回了深城，刚回深城没多久呢，已经前往新云科技那边上班的席婉清就怀孕了。
问题是，席婉清跟了徐申学也有好几个月了，但是她父母还不知道……